گرافین (لایهای به ضخامت یک اتم از کربن خالص که در سال ۲۰۰۴ کشف شد) علاقهی زیادی را به لحاظ کاربردهای صنعتی به خود جلب کرده است. گرافین از تحرک بالا٬ شفافیت اپتیکی٬ انعطافپذیری٬ استحکام مکانیکی و پایداری محیطی برخوردار است. فرآیند سریع ساخت و دستکاری لایههای گرافین انگیزهی این را ایجاد میکند تا این ماده در قطعات الکترونیکی گردآوری شود که بسیار کوچکتر از همتای سیلیکونی خود است.
با این وجود یک مانع اساسی در راه توسعهی مدارهای برپایهی گرافین وجود دارد: گرافین در حال حاضر برای ترانزیستورها٬ که سنگبنای الکترونیک نوین به حساب میآیند٬ مناسب نیست. برای آنکه یک ترانزیستور اثر میدان (FET) به لحاظ تکنیکی قابل دوام و مناسب باشد تنها بایستی جریان الکتریکی کوچکی از گیت این ترانزیستور در حالت استندبای جاری شود تا بتوان از مصرف پائین توان آن مطمئن شد. اما گرافین٬ گاف نواری الکترونی نداشته و بنابراین همیشه رسانای جریان خواهد بود: این یعنی FETهای گرافینی قادر به سوئیچآفزنی نیستند. در واقع میتوان گفت قابلیت سوئیچآفزنی FETهای سیلیکونی یکی از دلایل مهم برای کاربرد این ترانزیستورهای اثرمیدان است.
امتیاز: 0.00
وزارت آموزش و پرورش > سازمان پژوهش و برنامهريزی آموزشی
شبکه ملی مدارس ایران رشد
شما باید یک عنوان و متن وارد کنید!