||یک ((اجسام نیم رسانا|بلور نیم رسانای کامل)) و فاقد هرگونه ((ناخالصی شبکه بلوری|ناخالصی یا نقایص بلوری)) به نام نیم‌ سانای ذاتی شناخته می‌شود. در چنین ماده‌ای هیچگونه باربری در صفر درجه کلوین وجود ندارد، زیرا ((تراز ظرفیت)) از ((الکترون|الکترونها)) پر شده و تراز هدایت خالی است. در دمای بالاتر با برانگیزش گرمایی الکترون‌های تراز ظرفیت به تراز هدایت از طریق ((گاف انرژی)) ، ((حاملین بار|زوج‌های الکترون حفره)) تولید می‌شود. این زوجها تنها باربرهای موجود در نیم‌رسانای ذاتی هستند.||
!مشخصات نیم رسانای ذاتی
*برای نیم رسانای ذاتی بدلیل تولید زوج الکترون و حفره ، تراکم الکترون در ((تراز رسانش|تراز هدایت)) n (تعداد الکترونها در هر سانتیمتر مکعب) با تراکم حفره‌ها در تراز ظرفیت p (تعداد حفره‌ها در هر سانتیمتر مکعب) برابر است. هر یک از این تراکم باربرهای ذاتی را معمولا با {TEX()} {n_i} {TEX} نمایش می‌دهند. بنابراین برای نیم‌رسانای ذاتی {TEX()} {n=p=n_i} {TEX} است.


*در یک دمای معین ، تراکم مشخص از زوجهای الکترون - حفره {TEX()} {(n_i)} {TEX} وجود دارد. بدیهی است که در صورت پایدار ماندن تراکم باربرها ، باید باز ترکیبی از زوجهای الکترون و حفره ، که به اختصار با EHP نمایش می‌شوند، با همان سرعت تولیدشان وجود داشته باشد. باز ترکیب موقعی رخ می‌دهد که یک ((الکترون)) در تراز هدایت به حالتی خالی در تراز ظرفیت رفته و بنابراین زوج الکترون - حفره را از بین ببرد. اگر سرعت EHP را با {TEX()} {g_i} {TEX} و سرعت باز ترکیب را با {TEX()} {r_i} {TEX} نشان دهیم، در حالت تعادل {TEX()} {r_i=g_i} {TEX} می‌باشد.


*سرعت تولید EHP و سرعت باز ترکیب آنها به ((دما)) وابسته است. برای مثال {TEX()} {g_i} {TEX} با زیاد شدن دما افزایش می‌یابد و تراکم {TEX()} {n_i} {TEX} جدیدی از باربرها طوری برقرار می‌شود که سرعت بیشتر باز ترکیب {TEX()} {r_i} {TEX} دقیقا با سرعت تولید به تعادل برسد. در هر دمایی می‌توان پیش‌بینی نمود که سرعت باز ترکیب {TEX()} {r_i} {TEX} الکترون‌ها و حفره‌ها متناسب با تراکم {TEX()} {n_0} {TEX} و الکترون و تراکم {TEX()} {p_0} {TEX} حفره‌ها در حالت تعادل است.
!تولید EHP
تولید EHP را می‌توان به روش کیفی و با در نظر گرفتن گسیختگی ((پیوند کووالانسی|پیوندهای کووالانسی)) در ((شبکه بلور)) تجسم نمود. اگر یکی از الکترونهای ظرفیت {TEX()} {Si} {TEX} از محل خود در ساختمان پیوند کنده شده و بتواند آزادانه در شبکه حرکت کند، یک الکترون هدایت بوجود آمده و یک پیوند شکسته شده (حفره) باقی می‌ماند. انرژی لازم برای شکستن پیوند برابر با اندازه ((گاف انرژی)) است.
!مباحث مرتبط با عنوان
*((الکترون))
*((اجسام نیم رسانا))
*((حاملین بار))
*((تراز انرژی))
*((شبکه بلور))
*((گاف انرژی))
*((ناخالصی شبکه بلوری))
*((نیم رسانای غیر ذاتی))
*((نیم رسانای مستقیم و غیر مستقیم))